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課程名稱 |
金氧半電容元件
Mos Capacitor Device |
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開課學期 |
100-1 |
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授課對象 |
電機資訊學院 電子工程學研究所 |
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授課教師 |
胡振國 |
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課號 |
EE5116 |
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課程識別碼 |
921 U7170 |
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班次 |
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學分 |
3 |
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全/半年 |
半年 |
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必/選修 |
選修 |
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上課時間 |
星期二2,3,4(9:10~12:10) |
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上課地點 |
電二229 |
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備註 |
總人數上限：80人 |
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課程簡介影片 |
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核心能力關聯 |
本課程尚未建立核心能力關連 |
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課程大綱
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為確保您我的權利,請尊重智慧財產權及不得非法影印
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課程概述 |
1.REL:穩定度概述(Reliability Overview)
2.TS: 電晶體結構 (MOSFET Structure)
3.OT:氧化層穿隧(Oxide Tunneling)
4.RAD:輻射穩定度(Radiation Reliability)
5.SiO2:氧化層生長及穩定度(Oxide Growth and Reliability)
6.NO:氮化氧化層(Nitrided Oxides)
7.HK:高介電常數介電層(High K Dielectics)
8.NVM:非揮發性記憶體(Non-volatile Memory)
9.DRAM:動態隨機存取記憶體(Dynamic RAM)
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課程目標 |
本課程主要之討論內容為氧化層之穩定度，在現今IC製程中，氧化層厚度已薄至2nm以下，其對金氧半元件穩定度之影響相當重要，因此相關之製程及特性應加以瞭解。為改善穩定度而設計之各種電晶體結構也會被介紹。元件在輻射線之環境下，特性會受影響，因此必需加以防範，相關之知識將於本課程中提及。此外，最新記憶體元件氧化層技術及結構亦在本課程中介紹，欲對金氧半相關元件有較深入認識之研究生應具備本課程之知識。 |
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課程要求 |
作業三至四次(open book)佔30%
期中、期末考(closed book)平均佔70%
預修課程：固態電子學，金氧半電容元件
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預期每週課後學習時數 |
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Office Hours |
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指定閱讀 |
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參考書目 |
教科書： 以發講義及投影片上課方式進行講解
參考書目： 參考書:
1.The International Technology Roadmap For Semiconductor (ITRS)
2.S.Wolf, 1995, “Silicon Processing for the VLSI Era, Volume 3 -The Submicron MOSFET”, Lattice Press.
3.T.Hori, 1997, “Gate Dielectrics and MOS ULSIs”.
4.T.P.Ma and P.V.Dressendorfer, 1989, “Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits”, John Wiley & Sons.
5.Michel Houssa, 2004, “High-k Gate Dielectrics”, IOP Publishing Ltd.
6.Betty Prince, 2002 “Emerging Memories-Technologies and Trends”
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評量方式
(僅供參考) |
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